10月30日上午，由研究生院主办、材料学院协办的第262期北京理工大学百家大讲堂在中关村校区5号教学楼502-1举行，美国AVP科技公司总技术官、中科院物理所固体物理博士唐云俊作了“传感器生产的薄膜工艺和设备制造”的学术报告，材料学院谭成文老师及相关专业师生参加了报告会。

　　唐云俊首先对比介绍了传统机加车间与微纳加工FAB的特点与应用范围，随后围绕传感器制备工艺原理、薄膜沉积和离子刻蚀（IBE）的基本要求与设备参数调节原则、设备系统集成控制软件三方面进行详细讲解。唐云俊谈到，传感器制备过程中两个核心步骤为薄膜的沉积与刻蚀。他以Cluster PVD薄膜沉积设备为例，详细介绍了基片表面清洁、降低薄膜应力、控制膜厚均匀性、防范颗粒污染的方法与经验；以Refill 3D薄膜沉积设备为例讲解了反应溅射的迟滞效应、薄膜特点以及参数控制；关于离子刻蚀机（IBE），他阐述了离子刻蚀的基本原理、金属栅网功能、刻蚀的要求与刻蚀均匀性、速率的控制方法；最后介绍了设备集成系统的特点与功能。

　　唐云俊详细解答了老师、同学们关于离子刻蚀的离子源选择、能量调控、靶材制备、设备对环境的要求以及离子刻蚀晶体学选择性等问题。唐云俊谈到，光刻机是半导体行业的核心设备，但目前我国的自主研发能力不足，他鼓励在座的北理工学子要将科学研究与实际应用相结合，切实解决现实生产过程中遇到的技术难题，为中国半导体行业崛起贡献力量。

　　谭成文为唐云俊颁发了北理工“百家大讲堂”纪念证书，“传感器生产的薄膜工艺和设备制造”学术报告圆满结束。

【主讲人简介】

　　唐云俊，为美国AVP科技公司总技术官，中科院物理所固体物理博士，是薄膜材料、半导体工艺和设备专家。曾就职于西部数据公司任高级研发工程师，负责写磁头薄膜沉积、刻蚀，以及器件的工艺合成，制定工艺制度，发现并解决器件工艺制备过程中的问题，精通微纳器件制造各种工艺流程、设备特性、研发和制造技术。在国际期刊发表50多篇学术论文，并有十多个中、美专利。曾为美国《Physical Review B》《J. Appl. Phys.》及英国Institute of Physics 期刊杂志审稿人。