7月3日下午，由北京理工大学主办、校科协和信息与电子学院共同承办的北理工“百家大讲堂”（第81期）在中关村校区图书馆报告厅举行，中国科学院院士郝跃应邀作题为“第三代半导体器件和材料发展与展望”的讲座。校科协、信息与电子学院相关负责人及师生共100余人参加了本次讲座。副校长龙腾主持讲座并为郝跃院士颁发了北理工“百家大讲堂”纪念证书。

　　郝跃院士全面分析了国内外微电子技术发展态势、应用及战略地位。他指出，硅微电子技术步入艰难发展的后摩尔时代，低功耗是微电子技术发展的最大科学难题，物理、技术、经济都是制约其发展的瓶颈。

　　第三代（宽禁带）半导体器件技术有重大突破，其具有高效率、大功率、高频率的特征，目前开始得到广泛应用，其具有非常宽广的发展空间和市场。他详细介绍中国目前在第三代半导体器件材料技术研究进展及代表性的研究成果，指出要把核心技术产业掌握在自己手里，进一步加强新材料和新器件融合发展，为国家微电子基础研究和产业化作出新的贡献。

　　在交流提问环节，郝跃院士结合自己的学术经历，对学校学科发展及青年教师创新工作提出宝贵建议，他强调要重视发扬作风、坚定理想信念、注重合作交流。

　　龙腾对郝跃院士所作的精彩讲座表示由衷感谢，他指出，郝跃院士采用简练生动的语言、明晰准确的数据、信手拈来的事例全面给大家讲授了微电子技术的发展态势，明晰了微电子行业的发展方向。整场讲座引人入胜，使人深受启发、受益匪浅。

【主讲人简介】

　　郝跃，中国科学院院士，陕西省九三学社主任委员，陕西省科学技术协会副主席，西安电子科技大学学术委员会主任，全国政协委员。他1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，1991年在西安交通大学计算数学专业获博士学位。他目前是国家中长期规划纲要“核心电子器件”科技重大专项的技术总师，国务院学位委员会电子科学与技术学科评议组召集人。

　　郝跃院士长期从事微电子学与固体电子学的科学研究与人才培养，是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家。他在氮化镓、碳化硅第三代半导体材料、微波毫米波及大功率半导体器件，紫外与深紫外半导体光电器件，以及宇航核心电子器件研究等方面取得了系统的创新成果。他主持的科研成果获得国家技术发明奖一项，国家科技进步奖三项，2010年荣获“何梁何利”科学技术奖，2013年当选中国科学院院士。